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标准包装 | 70 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.8 Ohm @ 1.75A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 17nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 610pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 500 V |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
连续漏极电流 | 3.5 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 1.8 Ohms |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | IPAK |
封装 | Tube |
下降时间 | 35 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 55 ns |
工厂包装数量 | 70 |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
寿命 | Obsolete |
最大门源电压 | ±30 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 2.3 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 500 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 1800@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | IPAK |
标准包装名称 | IPAK |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.6 |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 6.1 |
最大连续漏极电流 | 3.5 |
标签 | Tab |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.5A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
标准包装 | 70 |
供应商设备封装 | I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.8 Ohm @ 1.75A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 610pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 17nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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